عناوین عملکرد , عملکرد واحد
تصویر منتخب از فایلppt با موضوع: عناوین عملکرد , عملکرد واحد

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

● ترانزیستور MOSFET
● مقدمه
● Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
● نحوه عملکرد
● ایجاد کانالی برای عبور جریان
● ترانزیستور NMOS
● اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
● رابطه جریان و ولتاژ

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

سورس درین, عناوین عملکرد, عملکرد واحد, ناحیه گیت, درین سورس, ترانزیستور پایه, بین سورس درین, مقدار جریانی, بین سورس, اتصال فلزی, ترانزیستور بصورت, کانال میگذرد,

نوع زبان: فارسی حجم: 0.55 مگا بایت
نوع فایل: اسلاید پاورپوینت تعداد اسلایدها: 8 صفحه
سطح مطلب: نامشخص پسوند فایل: ppt
گروه موضوعی:  زمان استخراج مطلب: 2019/01/04 05:26:16

لینک دانلود رایگان لینک دانلود کمکی

توجه: این مطلب در تاریخ 2019/01/04 02:22:56 به صورت خودکار از فضای وب آشکار توسط موتور جستجوی پاورپوینت جمع آوری شده است و در صورت اعلام عدم رضایت تهیه کننده ی آن، طبق قوانین سایت از روی وب گاه حذف خواهد شد. این مطلب از وب سایت زیر استخراج شده است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی است.

http://ictmed.sums.ac.ir/icarusplus/export/sites/ictmed/slides/EHR1/ologoo.ppt

در صورتی که محتوای فایل ارائه شده با عنوان مطلب سازگار نبود یا مطلب مذکور خلاف قوانین کشور بود لطفا در بخش دیدگاه (در پایین صفحه) به ما اطلاع دهید تا بعد از بررسی در کوتاه ترین زمان نسبت به حدف با اصلاح آن اقدام نماییم. جهت جستجوی پاورپوینت های بیشتر بر روی اینجا کلیک کنید.

عبارات پرتکرار و مهم در این اسلاید عبارتند از: سورس درین, عناوین عملکرد, عملکرد واحد, ناحیه گیت, درین سورس, ترانزیستور پایه, بین سورس درین, مقدار جریانی, بین سورس, اتصال فلزی, ترانزیستور بصورت, کانال میگذرد,

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

ترانزیستور mosfet منبع کتابmicroelectronic circuits ۵ e sedra smith مقدمه در این مقاله المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد. ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد. اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند. دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد mosfet bjt mosfet ازbjt کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد. metal oxide semiconductor field effect transistor این ترانزیستور بر روی یک پایه از نوع p ساخته میشود. بر روی پایه دو ناحیه با نیمه هادی نوع n که دارای ناخالصی زیادی هستند ایجاد میشود. این نواحی سورس و درین نامیده میشوند که با یک اتصال فلزی دردسترس قرار میگیرند. بین این دو ناحیه و در سطح پایه عایقی از جنس شیشه کشیده میشود. برروی این عایق یک لایه فلز قرار داده میشود که اتصالی با نام گیت بوجود می آورد. ممکن است پایه نیز به یک اتصال فلزی وصل شود. figure ۴.۱ physical structure of the enhancement type nmos transistor a perspective view b cross section. typically l .۱ to ۳ mm w .۲ to ۱ mm and the thickness of the oxide layer tox is in the range of ۲ to ۵ nm. نحوه عملکرد این ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال source drain gate مورد استفاده قرارمیگیرد. اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت یکی بین n سورس و p پایه و دیگری بین p پایه و n درین. چون این دو دیود پشت به پشت به هم وصل شده اند هیچ جریانی بین سورس و درین نمیتواند برقرارشود. مقاومت بین سورس و درین خیلی زیاد خواهد بود. در واقع یک ناحیه تخلیه بین دو قطعه p n مجاور تشکیل میشود که از عبور جریان بین پایه و درین و همچنین پایه و سورس جلوگیری میکند. ایجاد کانالی برای عبور جریان اگر درین و سورس را به زمین وصل کرده و ولتاژ مثبتی به گیت وصل کنیم، ناقلهای مثبت زیر ناحیه گیت تحت تاثیر این ولتاژ از زیر گیت دور شده و به سمت substrate رانده میشوند. این ولتاژ متقابلا الکترونهای منفی را از ناحیه های سورس و درین جذب مینماید. اگر در ناحیه زیر گیت الکترون کافی جمع شود یک ناحیه منفی بوجود می آید که دو ناحیه n مربوط به سورس و درین را به هم وصل میکند. در واقع کانالی برای عبور جریان الکترون از سورس به درین تشکیل میشود. توجه شود که substrate که قبلا از نوع p بود در ناحیه زیر گیت به نوع n تبدیل میشود inversion layer figure ۴.۲ the enhancement type nmos transistor with a positive voltage applied to the gate. an n channel is induced at the top of the substrate beneath the gate. ترانزیستور nmos ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n channel و یا nmos خوانده میشود. مقدار vgs لازم برای تشکیل کانال باید از یک مقدار آستانه vt بیشتر باشد. این مقدار معمولا بین .۵ ۱ ولت است. درناحیه گیت در اثر جمع شدن بار منفی در زیر گیت و اتصال آن به ولتاژ مثبت در بالای گیت، خازنی بوجود میآید. مقدار جریانی که از کانال میگذرد بستگی به میدان الکتریکی تشکیل شده در ناحیه گیت دارد. توجه شود که ترانزیستور از لحاظ ساخت متقارن است لذا نامگذاری درین و سورس بستگی به ولتاژی دارد که به آنها اعمال میشود برای ترانزیستور با کانال n درین به ولتاژ بالاتری نسبت به سورس وصل میشود. اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس اگر ولتاژ کوچکی به درین و سورس اعمال شود vds باعث خواهد شد تا جریان id در کانال عبورکند. درواقع این ولتاژ باعث جذب الکترونها از سمت سورس به درین شده و جریانی در خلاف جهت حرکت الکترون بوجود می آورد. مقدار این جریان بستگی به مقدار الکترونهای آزاد ناحیه زیر گیت دارد که خود آن وابسته به ولتاژ vgs vt دارد. اگر vgs در حد vt باشد کانال تازه تاسیس هنوز کوچک بوده و جریان زیادی از ان عبور نمیکند. اما با زیاد شدن این ولتاژ عرض کانال هم زیاد شده و امکان عبور جریان بیشتر فراهم خواهد شد. figure ۴.۳ an nmos transistor with vgs vt and with a small vds applied. the device acts as a resistance whose value is determined by vgs. specifically the channel conductance is proportional to vgs – vt’ and thus id is proportional to vgs – vt vds. note that the depletion region is not shown for simplicity . رابطه جریان و ولتاژ مقدار جریانی که از کانال میگذرد هم به ولتاژ vgs vt و هم به ولتاژ vds بستگی خواهد داشت. درواقع ترانزیستور بصورت یک مقاومت خطی عمل میکند که مقدار آن به ولتاژ vgs بستگی دارد. اگر vgs از vt کمتر باشد مقاومت بی نهایت بوده و جریانی عبور نخواهد کرد. با زیاد شدن vgs مقدار مقاومت نیز کمتر میشود. توجه شود که مقدار جریانی که به ترمینال درین وارد میشود برابر با جریانی است که از سورس خارج میشود و جریان ترمینال گین برابر با صفر است. figure ۴.۴ the id–vds characteristics of the mosfet in fig. ۴.۳ when the voltage applied between drain and source vds is kept small. the device operates as a linear resistor whose value is controlled by vgs. …

کلمات کلیدی پرکاربرد در این اسلاید پاورپوینت: سورس درین, عناوین عملکرد, عملکرد واحد, ناحیه گیت, درین سورس, ترانزیستور پایه, بین سورس درین, مقدار جریانی, بین سورس, اتصال فلزی, ترانزیستور بصورت, کانال میگذرد,

این فایل پاورپوینت شامل 8  اسلاید و به زبان فارسی و حجم آن 0.55 مگا بایت است. نوع قالب فایل ppt بوده که با این لینک قابل دانلود است. این مطلب برگرفته از سایت زیر است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی می باشد که در تاریخ 2019/01/04 05:26:16 استخراج شده است.

http://iranarze.ir/wp-content/uploads/2017/01/P40002-sample-IranArze.ppt

  • جهت آموزش های پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.
  • جهت دانلود رایگان قالب های حرفه ای پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.

رفتن به مشاهده اسلاید در بالای صفحه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *