لایه نشانی ، رسوب دهی و لایه نازک…

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

در حال حاضر فهرست عناوین برای مطالب این اسلاید پاورپوینت استخراج نشده است!!!
فایل پاورپوینت را با استفاده از دکمه های رنگی زیر می توانید دانلود کنید

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

شیمیایی بخار, لایه نشانی, رسوب دهی, لایه نازک, رسوب دهی شیمیایی, دهی شیمیایی بخار, دهی شیمیایی, روش لایه, فاز گاز, روش لایه نشانی, جوانه زنی, فاز گازی, فشار پایین, زنی فاز,

نوع زبان: فارسی حجم: 3.64 مگا بایت
نوع فایل: اسلاید پاورپوینت تعداد اسلایدها: 16 صفحه
سطح مطلب: نامشخص پسوند فایل: ppsx
گروه موضوعی: فنی مهندسی, زمان استخراج مطلب: 2019/01/03 02:56:23

لینک دانلود رایگان لینک دانلود کمکی

 

توجه: این مطلب در تاریخ 2019/01/04 02:22:56 به صورت خودکار از فضای وب آشکار توسط موتور جستجوی پاورپوینت جمع آوری شده است و در صورت اعلام عدم رضایت تهیه کننده ی آن، طبق قوانین سایت از روی وب گاه حذف خواهد شد. این مطلب از وب سایت زیر استخراج شده است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی است.

http://www.iust.ac.ir/files/nanoptronics/pages/seminars/pps/seminar-teory.ppsx

 

در صورتی که محتوای فایل ارائه شده با عنوان مطلب سازگار نبود یا مطلب مذکور خلاف قوانین کشور بود لطفا در بخش دیدگاه (در پایین صفحه) به ما اطلاع دهید تا بعد از بررسی در کوتاه ترین زمان نسبت به حدف با اصلاح آن اقدام نماییم. جهت جستجوی پاورپوینت های بیشتر بر روی اینجا کلیک کنید.

 

عبارات پرتکرار و مهم در این اسلاید عبارتند از: شیمیایی بخار, لایه نشانی, رسوب دهی, لایه نازک, رسوب دهی شیمیایی, دهی شیمیایی بخار, دهی شیمیایی, روش لایه, فاز گاز, روش لایه نشانی, جوانه زنی, فاز گازی, فشار پایین, زنی فاز,

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

به نام خدا انواع روش های لایه نشانی سمینار درس تئوری و تکنولوژی دانشکده مهندسی برق سعید صفرزاده کامو استاد راهنما دکتر شهرام محمدنژاد اردیبهشت ۹۳ ۱ مقدمه ساخت لایه های نازک با روش های متفاوت و متنوعی صورت می گیرد که خواص مورد نیاز آن ها تاثیر زیادی روی انتخاب یکی از این روش ها دارد. اساس روش‌های ساخت لایه های نازک بر دو مبنای فیزیکی و شیمیایی استوار است که روش های عمده لایه نشانی، برپایه این روش ها دسته بندی می شوند. در هر روش، کیفیت و شرایط لایه نازک متفاوت است که بسته به نوع کاربرد لایه نازک و شرایط مورد نظر، روش های مختلف مورد استفاده قرار می گیرد. از کاربرد های مهم لایه های نازک می توان به استفاده از این نانوساختارها در ساخت ترانزیستورهای لایه نازک و سلول های خورشیدی اشاره کرد. جهت آنالیز و بررسی کیفیت و ضخامت لایه های نازک، روش های طیف شناسی الکترون و یون شامل روش طیف شناسی فوتوالکترون اشعه ایکس xps ، الکترون اوژه aes و طیف شناسی جرمی یون ثانویه sims مورد استفاده قرار می گیرد. در ادامه روش های لایه نشانی را توضیح خواهیم داد. ۲ ۲ روش های لایه نشانی بسته به پروسه اعمال لایه، منبع انرژی و محیط اعمال لایه نامگذاری می شوند. در این بین، روش های لایه نشانی بخار شیمیایی جزء متنوع ترین روش های لایه نشانی می باشد. انواع مختلفی از روش هایcvd وجود دارد و همچنین روش‌ های مختلفی برای طراحی راکتور این فرآیند موجود است. مهم ‌ترین روش، راکتور با دیواره سرد است. در این راکتور زیرپایه گرم نگه داشته می‌ شود بدون اینکه دیواره ‌های راکتور گرم شوند. راکتور دیگری که کاربرد زیادی در صنعت دارد، راکتور با دیواره گرم است. در این راکتور علاوه بر زیرپایه، دیواره ‌ها نیز گرم می‌ شود و برای سیستم ‌های تبخیر رسوب دهی که واکنش ‌های فاز گازی ترجیح داده می‌شود مانند ساخت نانو پودرها ، مناسب است. انواع سیستم‌ هایی که با استفاده از روش رسوب دهی شیمیایی بخار، نانو مواد را تهیه می‌کنند عبارتند از ۱ انواع روش های cvd مانند lp cvd mocvd pe cvd ۲ تراکم شیمیایی بخار cvc ۳ رسوب‌گیری ذرات با استفاده از روش pp cvd ۴ رسوب دهی شیمیایی بخار کاتالیزوری ۳ cvd این روش در فاز بخار انجام می شود و در طیف وسیعی از روش های تولید فیلم نازک و پودرها را در برمی گیرد. اصول کار cvd به این صورت است که پیش ماده به محفظه واکنش وارد می شود و سپس به سمت زیرلایه حرکت می کند، در این جا انرژی لازم باعث رسوب می شود. در این مرحله محصولات فرعی فرار تشکیل می شود و از زیرلایه واجذب شده و از محفظه خارج می شود. انتقال پیش ماده در حالت بخار یا گاز به وسیله­ی همرفت و انتشار انجام می شود. گاز حامل اغلب به گاز واکنش دهنده رقیق شده القاء می شود. بیشترین چالش این است که رسوب گیری به طور منحصر به فرد بر روی زیرلایه و نه در هر جای دیگری در راکتور انجام شود، که باعث ایجاد مشکلات خلوص می شود. محصولات فرعی فرار تولید شده اغلب سمی هستند و یکی از مشکلات این فرایند می باشد. ۴ روش cvd می‌تواند تحت خلا و یا فشار های پایین انجام شود. اگر از فشار های پایین استفاده شود، رسوب دهی شیمیایی بخار فشار پایین lp cvd نامیده می‌شود. معمولا در این سیستم جوانه زنی فاز گازی کاهش می ‌یابد و بنابراین برای ساخت فیلم جامد روی زیرلایه و بدون ذرات ناخواسته، مناسب است. فیلم جامد می‌تواند به ‌صورت آمورف، چند بلوری و یا تک بلور با خواص ویژه روی زیرپایه مناسب تهیه شود. اخیرا با استفاده از پیش ماده‌های آلی فلزی، دمای رشد کاهش یافته و بنابراین می ‌توان فیلم ‌های نازک با کیفیت بهتری تهیه کرد. این روش به رسوب دهی شیمیایی بخار آلی فلز mocvd معروف است. همچنین می‌ توان از منابع پر انرژی مثل پلاسما و یا نور فرابنفش نیز در این روش استفاده کرد که در این صورت به ترتیب رسوب دهی شیمیایی بخار پلاسما pe cvd و رسوب دهی شیمیایی بخار فوتونی photo cvd نامیده می ‌شود. در اکثر فرآیند های cvd، به دلیل از بین رفتن مواد اولیه و نیز ایجاد ذرات ناخواسته در فیلم ایجاد شده، باید از تشکیل ذرات در فاز گازی جلوگیری کرد. اما تحت شرایط آزمایشی مشخصی مانند ساخت نانوپودرها و یا نانوذرات، تشکیل ذرات در فاز گاز مطلوب است. جوانه زنی در فاز گاز و کنترل رشد ذرات از مهم‌ترین فاکتور های فرآیند رشد است. توزیع اندازه ذرات توسط تعداد جوانه های تشکیل ‌شده در راکتور و غلظت تراکم مواد، کنترل می‌ شود. راکتور cvd می‌تواند به دو صورت افقی و یا عمودی ساخته شود. هنگامی که راکتور به‌ صورت افقی باشد، جریان گاز به‌ صورت موازی با سطح زیرپایه است و هنگامی که راکتور عمودی باشد، جریان گاز عمود بر سطح زیرپایه است. ۵ cvc تراکم شیمیایی بخار cvc یا chemical vapor condensation در واقع سیستم بهینه شده روش cvd است. اصول کلی این روش بر پایه جوانه زنی فاز گاز جوانه زنی همگن است. طرح شماتیکی این دستگاه در شکل نشان داده شده است. این ترکیبات در دسترس بوده و در دما های پایین لایه نشانی می‌ شوند. ابتدا گاز حاصل با پیش ماده مورد نظر در دمای اتاق مخلوط می‌ شود. بخار مورد نظر با سرعت مشخصی، وارد محفظه تحت خلا ۱ ۱ ۱ ۲ پاسکال می شود. سپس ترکیبات آلی فلزی از یک لوله گرم عبور داده می‌ شود. در طی زمان اقامت کوتاه مولکول‌ های پیش ماده درون لوله، مولکول ‌ها به‌ صورت انفرادی تخریب می‌ شوند و سپس برای تشکیل خوشه ‌ها و ذرات کوچک به هم می‌ چسبند. با خروج از لوله گرم شده، انبساط سریع خوشه‌ ها و یا ذرات، رشد و به هم چسبیدن آن‌ ها را …

کلمات کلیدی پرکاربرد در این اسلاید پاورپوینت: شیمیایی بخار, لایه نشانی, رسوب دهی, لایه نازک, رسوب دهی شیمیایی, دهی شیمیایی بخار, دهی شیمیایی, روش لایه, فاز گاز, روش لایه نشانی, جوانه زنی, فاز گازی, فشار پایین, زنی فاز,

این فایل پاورپوینت شامل 16  اسلاید و به زبان فارسی و حجم آن 3.64 مگا بایت است. نوع قالب فایل ppsx بوده که با این لینک قابل دانلود است. این مطلب برگرفته از سایت زیر است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی می باشد که در تاریخ 2019/01/03 02:56:23 استخراج شده است.

http://www.iust.ac.ir/files/nanoptronics/pages/seminars/pps/seminar-teory.ppsx

  • جهت آموزش های پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.
  • جهت دانلود رایگان قالب های حرفه ای پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.

رفتن به مشاهده اسلاید در بالای صفحه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *