حافظه ی پاک شدنی و ثابت

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

● فصل هفتم
● حافظه
● Random-Access Memory
● RAM : اعمال Read و Write
● اعمال Read و Write در RAM
● انواع حافظه
● حافظه ی پاک شدنی و ثابت
● EPROMS و PROMS
● سلول حافظه
● 4 x 4 RAM
● RAM
● دیکد کردن دو بعدی
● DRAM
● کد همینگ
● Read-Only Memory (ROM)
● برنامه ریزی ROM
● Programmable Logic Device (PLD)
● Programmable Logic ARRAY (PLA)
● جدول برنامه ریزی PLA
● مثال برنامه ریزی PLA
● Programmable Array Logic (PAL)
● Sequential Programmable Logic Devices
● Sequential Programmable Logic
● Complex Programmable Logic Device (CPLD)
● Field-Programmable Gate Array (FPGA)

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

حافظه ادرس, اطلاعات باینری, عمل نوشتن, عمل خواندن, حافظه پاک, حافظه, کلمه انتخاب, کلمه حافظه, فرایند انتقال, برنامه ریزی, کلمه خطوط, نوع حافظه, انواع حافظه, خطوط ادرس,

نوع زبان: فارسی حجم: 1.34 مگا بایت
نوع فایل: اسلاید پاورپوینت تعداد اسلایدها: 31 صفحه
سطح مطلب: نامشخص پسوند فایل: ppt
گروه موضوعی:  زمان استخراج مطلب: 2019/04/07 07:00:21

لینک دانلود رایگان لینک دانلود کمکی

دیدن اسلایدهای پاورپوینت مرتبط در پایین صفحه

توجه: این مطلب در تاریخ 2019/01/04 02:22:56 به صورت خودکار از فضای وب آشکار توسط موتور جستجوی پاورپوینت جمع آوری شده است و در صورت اعلام عدم رضایت تهیه کننده ی آن، طبق قوانین سایت از روی وب گاه حذف خواهد شد. این مطلب از وب سایت زیر استخراج شده است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی است.

http://dir.ilam.ac.ir/mozafar/dlc/f09/dlc-13.ppt

در صورتی که محتوای فایل ارائه شده با عنوان مطلب سازگار نبود یا مطلب مذکور خلاف قوانین کشور بود لطفا در بخش دیدگاه (در پایین صفحه) به ما اطلاع دهید تا بعد از بررسی در کوتاه ترین زمان نسبت به حدف با اصلاح آن اقدام نماییم. جهت جستجوی پاورپوینت های بیشتر بر روی اینجا کلیک کنید.

عبارات پرتکرار و مهم در این اسلاید عبارتند از: حافظه ادرس, اطلاعات باینری, عمل نوشتن, عمل خواندن, حافظه پاک, حافظه, کلمه انتخاب, کلمه حافظه, فرایند انتقال, برنامه ریزی, کلمه خطوط, نوع حافظه, انواع حافظه, خطوط ادرس,

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

فصل هفتم حافظه و منطق قابل برنامه ریزی حافظه دستگاه حافظه دستگاهی است که می توان اطلاعات باینری را به آن منتقل کرد و در آن ذخیره نمود، و می توان در مواقع نیاز برای پردازش اطلاعات به آن دسترسی داشت. واحد حافظه مجموعه ای از سلولها فلیپ فلاپها که قادر به نگهداری مقدار بزرگی از اطلاعات باینری است. در سیستمهای دیجیتال، دو نوع حافظه موجود است random access memory ram read only memory rom حافظه ۱ حافظه با دسترسی تصادفی ram فرآیند انتقال اطلاعات به حافظه عمل نوشتن نام دارد. فرآیند انتقال اطلاعات از حافظه عمل خواندن حافظه نام دارد. حافظه ی فقط خواندنی rom نمونه ای از ابزارهای منظقی قابل برنامه ریزی pld است مثالهای دیگر آرایه ی منطقی قابل برنامه ریزی pla منطق آرایه ای قابل برنامه ریزی pal آرایه ی گیتهای منطقی قابل برنامه ریزی در محل fpga فرق pla و pal pal فقط شامل and قابل برنامه ریزی است و or ها ثابت هستند. در pla می توان هم and ها و هم or ها را برنامه ریزی کرد. pla یک مدار مجتمع از گیتهای منطقی است که اتصالات آنها قابل برنامه ریزی است. در این مدارها فیوزهایی وجود دارد که با سوزاندن آنها عملکرد مطلوب حاصل می شود. random access memory واحد حافظه اطلاعات باینری را به صورت مجموعه ای از بیتها به اسم کلمه ذخیره می کند. کلمه ی حافظه مجموعه ی صفر و یکهای موجود در هر کلمه بصورت یک عدد در مبنای ۱۶یا یک یا چندین کاراکتر نمایش داده می شود. در حافظه ی اکثر کامپیوترها ، هر کلمه معادل ۴ بایت یا ۳۲ بیت است. memory content random access memory هر کلمه در حافظه دارای یک آدرس بین تا ۲k ۱ است. k تعداد خطوط آدرس حافظه است. ram اعمال read و write برای ذخیره ی یک کلمه در حافظه ۱ آدرس کلمه را به خطوط آدرس اعمال کنید. ۲ مقدار کلمه را به خطوط داده اعمال کنید. ۳ ورودی write را فعال کنید. برای خواندن یک کلمه از حافظه ۱ آدرس کلمه را به خطوط آدرس اعمال کنید. ۲ ورودی read را فعال کنید. اعمال read و write در ram ورودی memory enable برابر یک و read write برابر صفر قرار داده می شود. هر دو سیگنال باید به مدت ۵ ns در این وضعیت باقی بمانند. ورودی memory enable برابر یک و read write برابر یک قرار داده می شود. حافظه داده ی کلمه ی انتخاب شده بوسیله ی آدرس را در مدتی کمتر از ۵ ns بعد از یک شدن memory enable روی خطوط خروجی داده قرار می دهد. انواع حافظه مدارهای مجتمع ram به دو صورت در بازار موجود هستند دینامیک و استاتیک ram استاتیک sram از لچ هایی داخلی تشکیل شده که قادر به ذخیره سازی اطلاعات هستند. اطلاعات ذخیره شده تا هنگام وصل بودن منبع تغذیه واحد حافظه حفظ خواهند شد. ram دینامیک dram اطلاعات باینری را بصورت بار روی خازن ترانزیستورهای cmos ذخیره می کند. بار ترانزیستورها با گذشت زمان تخلیه خواهد شد و ترانزیستورها باید مرتباً شارژ شوند. این عمل refresh کردن حافظه ی دینامیک نام دارد و هر چند میلی ثانیه یکبار انجام می شود. مصرف توان dram کمتر است و می توان آنرا در سایزهای بزرگتر ساخت. استفاده از sram ساده تر و اعمال حافظه خواندن و نوشتن سریعتر هستند. حافظه ی پاک شدنی و ثابت ram از نوع حافظه ی پاک شدنی است. یعنی بعد از قطع برق حافظه پاک می شود. حافظه ی ثابت اطلاعات خود را بعد از قطع برق نیز حفظ می کند. دیسک مغناطیسی جهت میدان مغناطیسی نوع داده ی ذخیره شده را مشخص می کند. cd دیسک فشرده از نوعی پلاستیک پلی کربنات است که اطلاعات بصورت دندانه هایی که با نواحی مسطح از هم جدا شده اند روی آن ذخیره شده است. rom این نوع حافظه فقط یکبار قابل نوشتن است و بعد از آن فقط قابل خواندن است. eproms و proms rom قابل برنامه ریزی و پاک شدن eprom نوعی از حافظه است که می توان توسط اشعه ی فرابنفش محتوی آنرا پاک کرد. برای نوشتن و پاک کردن eprom به برنامه ریز eprom نیاز هست. فرق eprom و prom این است که دومی فقط یکبار قابل نوشتن است و قابل پاک کردن نیست. eprom در کامپیوترهای شخصی کاربرد زیادی دارد چون می توان قبل از فروش مادربورد آخرین نسخه ی برنامه ی bios را روی آن قرار داد. eeprom شبیه eprom است با این تفاوت که توسط سیگنال الکتریکی پاک می شود. سلول حافظه قسمت ذخیره ی داده توسط یک لچ مدل می شود. اگر read write ۱ باشد عمل خواندن انجام می شود. اگر read write باشد عمل نوشتن انجام می شود. ۴ x ۴ ram اگر memory enable ۱ باشد یکی از چهار کلمه ی حافظه انتخاب می شود. عمل خواندن بیتهای کلمه ی انتخاب شده از طریق گیتهای or به خروجی می روند. عمل نوشتن داده ای که روی خط ورودی آمده وارد کلمه ی انتخاب شده می شود. ram ram های تجاری هزاران کلمه ی ۶۴ ۱ بیتی دارد. حافظه ای که ۲k کلمه ی n بیتی دارد به k بیت آدرس نیاز دارد که وارد یک دیکدر k x ۲k می شوند. ۴ ۴ دیکد کردن دو بعدی ایده ی دیکد کردن دو بعدی این است که سلولهای حافظه را به صورت یک آرایه ی دوبعدی مثل مربع بچینید. لذا از دو دیکدر k ۲ ورودی بجای یک دیکدر k ورودی استفاده می کنیم. یکی از دیکدرها ردیف و دیگری ستون را انتخاب می کند. سؤال چند کلمه می توانند انتخاب شوند dram کد همینگ مثال ۱۱ ۱ ارسال کدهای اضافی جهت کشف خطا کد همینگ از روی مقدار بیتهای توازن می شود محل خطای تک بیتی را پیدا کرد. بطور کلی با k بیت توازن می توان خطاهای تک بیتی یک عدد n بیتی را بدست آورد ۲k ۱ k ≥ n مثلاً، k ۳ نشان می دهد که …

کلمات کلیدی پرکاربرد در این اسلاید پاورپوینت: حافظه ادرس, اطلاعات باینری, عمل نوشتن, عمل خواندن, حافظه پاک, حافظه, کلمه انتخاب, کلمه حافظه, فرایند انتقال, برنامه ریزی, کلمه خطوط, نوع حافظه, انواع حافظه, خطوط ادرس,

این فایل پاورپوینت شامل 31  اسلاید و به زبان فارسی و حجم آن 1.34 مگا بایت است. نوع قالب فایل ppt بوده که با این لینک قابل دانلود است. این مطلب برگرفته از سایت زیر است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی می باشد که در تاریخ 2019/04/07 07:00:21 استخراج شده است.

http://dir.ilam.ac.ir/mozafar/dlc/f09/dlc-13.ppt

  • جهت آموزش های پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.
  • جهت دانلود رایگان قالب های حرفه ای پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.

رفتن به مشاهده اسلاید در بالای صفحه


پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *