Semiconductor Materials (cont.)

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

● Chapter Goals
● The Inventors of the Integrated Circuit
● Solid-State Electronic Materials
● Solid-State Electronic Materials (cont)
● Semiconductor Materials (cont.)
● Covalent Bond Model
● Silicon Covalent Bond Model (cont.)
● Intrinsic Carrier Concentration
● Intrinsic Carrier Concentration (cont.)
● Electron-hole concentrations
● Drift Current
● Mobility
● Velocity Saturation
● Intrinsic Silicon Resistivity
● Example: Calculate the resistivity of intrinsic silicon
● Semiconductor Doping
● Donor Impurities in Silicon
● Acceptor Impurities in Silicon
● Acceptor Impurities – Hole propagation
● Doped Silicon Carrier Concentrations
(how to calculate)
● n-type Material
● p-type Material
● Practical Doping Levels
● Mobility and Resistivity in
Doped Semiconductors
● Diffusion Current
● Diffusion Current (cont.)
● Total Current in a Semiconductor
● Semiconductor Energy Band Model
● Energy Band Model for a Doped Semiconductor
● Integrated Circuit Fabrication Overview
● Integrated Circuit Fabrication (cont.)

نوع زبان: انگلیسی حجم: 2.69 مگا بایت
نوع فایل: اسلاید پاورپوینت تعداد اسلایدها: 78 صفحه
سطح مطلب: نامشخص پسوند فایل: pptx
گروه موضوعی: زمان استخراج مطلب: 2019/05/15 10:16:40

لینک دانلود رایگان لینک دانلود کمکی

اسلایدهای پاورپوینت مرتبط در پایین صفحه

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

., silicon, semiconductor, ۲۷۱, ece, s., levkov, dr., chap, njit, cm, bond,

توجه: این مطلب در تاریخ 2019/05/15 10:16:40 به صورت خودکار از فضای وب آشکار توسط موتور جستجوی پاورپوینت جمع آوری شده است و در صورت اعلام عدم رضایت تهیه کننده ی آن، طبق قوانین سایت از روی وب گاه حذف خواهد شد. این مطلب از وب سایت زیر استخراج شده است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی است.

https://web.njit.edu/~levkov/classes_files/ECE271/Handouts/T2.pptx

در صورتی که محتوای فایل ارائه شده با عنوان مطلب سازگار نبود یا مطلب مذکور خلاف قوانین کشور بود لطفا در بخش دیدگاه (در پایین صفحه) به ما اطلاع دهید تا بعد از بررسی در کوتاه ترین زمان نسبت به حدف با اصلاح آن اقدام نماییم. جهت جستجوی پاورپوینت های بیشتر بر روی اینجا کلیک کنید.

عبارات پرتکرار و مهم در این اسلاید عبارتند از: ., silicon, semiconductor, ۲۷۱, ece, s., levkov, dr., chap, njit, cm, bond,

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱ ece ۲۷۱ electronic circuits i topic ۲ semiconductors basics ۱ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۲ chapter goals characterize resistivity of insulators semiconductors and conductors. develop covalent bond and energy band models for semiconductors. understand band gap energy and intrinsic carrier concentration. explore the behavior of electrons and holes in semiconductors. discuss acceptor and donor impurities in semiconductors. learn to control the electron and hole populations using impurity doping. understand drift and diffusion currents in semiconductors. explore low field mobility and velocity saturation. discuss the dependence of mobility on doping level. ۲ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۳ the inventors of the integrated circuit jack kilby andy grove robert noyce and gordon moore with intel ۸ ۸ layout. ۳ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۴ solid state electronic materials electronic materials fall into three categories wrt resistivity insulators  ۱ ۵  cm diamond  ۱ ۱۶ semiconductors ۱ ۳  ۱ ۵  cm conductors  ۱ ۳  cm copper  ۱ ۶ ۴ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۵ solid state electronic materials electronic materials fall into three categories wrt resistivity insulators  ۱ ۵  cm diamond  ۱ ۱۶ semiconductors ۱ ۳  ۱ ۵  cm conductors  ۱ ۳  cm copper  ۱ ۶ elemental semiconductors are formed from a single type of atom of column iv typically silicon. ۵ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۶ solid state electronic materials electronic materials fall into three categories wrt resistivity insulators  ۱ ۵  cm diamond  ۱ ۱۶ semiconductors ۱ ۳  ۱ ۵  cm conductors  ۱ ۳  cm copper  ۱ ۶ elemental semiconductors are formed from a single type of atom of column iv typically silicon. compound semiconductors are formed from combinations of elements of column iii and v or columns ii and vi. ۶ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۷ solid state electronic materials electronic materials fall into three categories wrt resistivity insulators  ۱ ۵  cm diamond  ۱ ۱۶ semiconductors ۱ ۳  ۱ ۵  cm conductors  ۱ ۳  cm copper  ۱ ۶ elemental semiconductors are formed from a single type of atom of column iv typically silicon. compound semiconductors are formed from combinations of elements of column iii and v or columns ii and vi. germanium was used in many early devices. ۷ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۸ solid state electronic materials electronic materials fall into three categories wrt resistivity insulators  ۱ ۵  cm diamond  ۱ ۱۶ semiconductors ۱ ۳  ۱ ۵  cm conductors  ۱ ۳  cm copper  ۱ ۶ elemental semiconductors are formed from a single type of atom of column iv typically silicon. compound semiconductors are formed from combinations of elements of column iii and v or columns ii and vi. germanium was used in many early devices. silicon quickly replaced germanium due to its higher bandgap energy lower cost and ability to be easily oxidized to form silicon dioxide insulating layers. ۸ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۹ solid state electronic materials cont bandgap is an energy range in a solid where no electron states can exist. it refers to the energy difference between the top of the valence band and the bottom of the conduction band in insulators and semiconductors ۹ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱ semiconductor materials cont. semiconductor bandgap energy eg ev carbon diamond ۵.۴۷ silicon ۱.۱۲ germanium .۶۶ tin . ۸۲ gallium arsenide ۱.۴۲ gallium nitride ۳.۴۹ indium phosphide ۱.۳۵ boron nitride ۷.۵ silicon carbide ۳.۲۶ cadmium selenide ۱.۷ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱۱ covalent bond model silicon diamond lattice unit cell. corner of diamond lattice showing four nearest neighbor bonding. view of crystal lattice along a crystallographic axis. silicon has four electrons in the outer shell. single crystal material is formed by the covalent bonding of each silicon atom with its four nearest neighbors. ۱۱ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱۲ silicon covalent bond model cont. silicon atom ۱۲ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱۳ silicon covalent bond model cont. silicon atom silicon atom covalent bond ۱۳ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱۴ silicon covalent bond model cont. silicon atom covalent bonds in silicon ۱۴ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱۵ silicon covalent bond model cont. near absolute zero all bonds are complete each si atom contributes one electron to each of the four bond pairs the outer shell is full no free electrons silicon crystal is an insulator what happens as the temperature increases ۱۵ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ ۱۶ silicon covalent bond model cont. increasing temperature adds energy to the system and breaks bonds in the lattice generating electron hole pairs. the pairs move within the matter forming semiconductor some of the electrons can fall into the holes – recombination. near absolute zero all bonds are complete each si atom contributes one electron to each of the four bond pairs the outer shell is full no free electrons silicon crystal is an insulator ۱۶ njit ece ۲۷۱ dr. s. levkov chap ۲ …

کلمات کلیدی پرکاربرد در این اسلاید پاورپوینت: ., silicon, semiconductor, ۲۷۱, ece, s., levkov, dr., chap, njit, cm, bond,

این فایل پاورپوینت شامل 78 اسلاید و به زبان انگلیسی و حجم آن 2.69 مگا بایت است. نوع قالب فایل pptx بوده که با این لینک قابل دانلود است. این مطلب برگرفته از سایت زیر است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی می باشد که در تاریخ 2019/05/15 10:16:40 استخراج شده است.

https://web.njit.edu/~levkov/classes_files/ECE271/Handouts/T2.pptx

  • جهت آموزش های پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.
  • جهت دانلود رایگان قالب های حرفه ای پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.

رفتن به مشاهده اسلاید در بالای صفحه


پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *