Diffusion & Ion Implanatation

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

فهرست عناوین اصلی در این پاورپوینت

● Doping: Depositing impurities into Si in a controlled manner
● Overview
● Goal:
● Diffusion & Ion Implanatation
● Diffusion & Ion Implantation
● Mechanism , Models
● Models
● Diffusivity
● Diffusion
● Junction Formation
● Diffusion: Drive In: Dopant re distribution
● Diffusion: Steps
● Diffusion: Dep: schematic
● Doping: Gas phase
● Solid phase
● Doping: Solid phase
● Issues
● Issues: Side diffusion
● Example of Real systems :
● Example of Real systems : Protemp
● Gettering
● Measurement
● Diffusion: Summary
● Ion Implantation
● Equipment
● 1. Ion Source
● 2. Analyzing
● 3. Acceleration
● 4. Scanning
● 5. Target chamber
● Mechanism
● Implantation
● Issue: Transverse Straggle
● Channeling
● TED
● RTA
● Diffusion vs Ion Implantation

نوع زبان: انگلیسی حجم: 0.45 مگا بایت
نوع فایل: اسلاید پاورپوینت تعداد اسلایدها: 43 صفحه
سطح مطلب: نامشخص پسوند فایل: ppt
گروه موضوعی: زمان استخراج مطلب: 2019/05/17 03:10:18

لینک دانلود رایگان لینک دانلود کمکی

اسلایدهای پاورپوینت مرتبط در پایین صفحه

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

عبارات مهم استفاده شده در این مطلب

wafer, source, diffusion, gas, high, dopant, current, concentration, solid, ion, ., n,

توجه: این مطلب در تاریخ 2019/05/17 03:10:18 به صورت خودکار از فضای وب آشکار توسط موتور جستجوی پاورپوینت جمع آوری شده است و در صورت اعلام عدم رضایت تهیه کننده ی آن، طبق قوانین سایت از روی وب گاه حذف خواهد شد. این مطلب از وب سایت زیر استخراج شده است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی است.

http://www.che.iitm.ac.in/~srinivar/course/MEF/ppt/07a.Implantation.web.ppt

در صورتی که محتوای فایل ارائه شده با عنوان مطلب سازگار نبود یا مطلب مذکور خلاف قوانین کشور بود لطفا در بخش دیدگاه (در پایین صفحه) به ما اطلاع دهید تا بعد از بررسی در کوتاه ترین زمان نسبت به حدف با اصلاح آن اقدام نماییم. جهت جستجوی پاورپوینت های بیشتر بر روی اینجا کلیک کنید.

عبارات پرتکرار و مهم در این اسلاید عبارتند از: wafer, source, diffusion, gas, high, dopant, current, concentration, solid, ion, ., n,

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

مشاهده محتوای متنیِ این اسلاید ppt

doping depositing impurities into si in a controlled manner overview diffusion vs implantation mechanism models steps equipment goal controlled junction depth controlled dopant concentration and profile wafer substrate p type n well preferred location of maximum concentration need not be the surface p p source drain diffusion ion implanatation ion implantation source junction is where n p can also be used when doping n in n bombardment of ions oxide block wafer substrate diffusion ion implantation diffusion solid in solid high temperatures ۱ c distances covered are in um or nm wafer substrate mechanism models substitutional ۱ ۱۲ cm۲ s interstitial replacement ۱ ۶ cm۲ s interstitial movement substitutional preferred better control au cu diffuse by interstitial mechanism b p etc by substitutional mechanism two ideal cases constant source limited source using fick’s first second law j flux d diffusivity of a in b n concentration x distance models constant source concentration at x is no complementary error function total dose q limited source dose q constant approx by delta fn models constant source concentration at x is no ۲ ۱ ۳ n distance from surface impurity concentration important parameter dt species temp and time models limited source dose q ۲ ۱ ۳ n distance from surface impurity concentration important parameter dt area under the curve is constant if you normalize erfc drops faster than gaussian diffusivity diffusivity follows arrhenius behavior wafer goes through heating cycles many times in the process effective diffusivity time sum diffusivity time concept of thermal budget diffusion max absorption at a given temp usually quite high good for emitter and collector but not for base not all dopant can contribute to electron hole near solubility limit solubility limit in the range of ۱ ۲ cm۳ at ۱ o c diffusion into silicon faster on grain boundaries ۱ times in poly silicon diffusivity in sio۲ usually very low segregation occurs junction formation n p distance from surface impurity conc carrier conc jn diffusion drive in dopant re distribution deposited dopant must be pushed into si re distribution of dopant oxidation of exposed si to protect dopant profile changes due to diffusion also due to preference for oxide silicon n type piles up in si p type depletes in si diffusion steps ۲.hf etch to remove oxide not too much ۳.deposit pre dep deposit enough to be higher than the solubility limit ۴.drive in high temp to enable diffusion inside si also forms sio۲ with high dopant concentration ۲ step diffusion usual ۵.deglaze hf etch oxide may act as dopant source in future steps removing highly doped oxide may be problem for dry etch diffusion dep schematic wafers are horizontal vertical better uniformity less wafers per batch poor uniformity more wafers per batch or can have smaller chamber dummy wafers placed in the beginning end gas flow gas flow doping gas phase dopant can be in gas liquid solid state but is typically carried using n۲ in gaseous form chamber reaction gas carrier gas n۲ source carrier gas may be bubbled through liquid source carrier gas may pass over heated solid source inert gas can provide volume to maintain laminar flow doping gas phase reaction diffusion limited solid phase solid source slugs between wafers lower through put cleaning is issue slugs can break safer to handle no toxic vapor at room temp spin coating with solvents similar to photo resist coating cost of extra spin bake steps thickness variations doping solid phase issues side diffusion increases with temperature time limits the space between devices maximum dopant concentration is near surface majority of current near surface surface tends to have max defects less control dislocation generation thermal drive in surface contamination dep low dopant concentration and thin junction small junction depth are difficult at .۱۸ um junction depth is ~ ۴ nm at . ۹ um junction depth may be ۲ nm issues side diffusion side diffusion lateral diffusion wafer substrate example of real systems hitachi zestone vii ۲m x ۳m x ۳m ۳ mm wafer one wafer at a time lower thermal budget better control uniformity low throughput hitachi vertron v ۱m x ۳.۵m x ۳.۳m ۲ mm wafer ۱۵ wafers at a time higher thermal budget good control uniformity high throughput example of real systems protemp gettering to remove unwanted impurities try to get them to the back of wafer defects ar implant dep sin sio۲ stress oxygen during crystal growth intrinsic high conc p on back of wafer measurement sheet resistance average four point probe vdp van der pauw bevel interference dye sims diffusion summary diffusion temp time thermal budget doping more important for older nodes relevant for all nodes ۲ step constant source limited source solid liq gas ion implantation somewhat similar to sputtering dopant goes inside the silicon sputtering deposits on the surface used for controlled doping concentration profile depth equipment mechanism issues summary equipment peter van zant ۱. ion source gas or solid source no liquid source solid heated to obtain vapor p۲o۵ effectively gas source mass flow meters to control the flow better gas usually fluorine based ionization chamber low pressure milli micro torr to ionize and minimize contamination heated filament thermionic emission positively charged ions created ۲. analyzing selection analyzing mass analyzing ion separation similar to mass spectroscope usually the second stage before acceleration magnetic field to control the path charge to mass ratio some of the species from bf۳ source selection of b ۳. acceleration acceleration needed for implantation positive ions accelerated with ring anodes energy range ۵ kev for low ۲ mev for high medium current ۱ ma high current ۱ ma current ~ dose beam focus magnetic electric accln energy beam current high energy low energy low current high current high current oxygen kev mev ۱ ma ۱ ma ۱ ma high energy high throughput few seconds per wafer soi ۴. scanning beam size ~ ۱ sqr cm wafer size ۲ mm or ۳ mm issues neutral atoms need to be removed because … dose calculated by current integrator electrical beam scanning mechanical wafer scanning beam scan medium current beam moves outside the wafer for turn controlling xy plates may be destroyed by discharge rotate wafer for uniformity wafer scan high current beam shuttering electrical mechanical turn beam off when …

کلمات کلیدی پرکاربرد در این اسلاید پاورپوینت: wafer, source, diffusion, gas, high, dopant, current, concentration, solid, ion, ., n,

این فایل پاورپوینت شامل 43 اسلاید و به زبان انگلیسی و حجم آن 0.45 مگا بایت است. نوع قالب فایل ppt بوده که با این لینک قابل دانلود است. این مطلب برگرفته از سایت زیر است و مسئولیت انتشار آن با منبع اصلی می باشد که در تاریخ 2019/05/17 03:10:18 استخراج شده است.

http://www.che.iitm.ac.in/~srinivar/course/MEF/ppt/07a.Implantation.web.ppt

  • جهت آموزش های پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.
  • جهت دانلود رایگان قالب های حرفه ای پاورپوینت بر روی اینجا کلیک کنید.

رفتن به مشاهده اسلاید در بالای صفحه


پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *